DMNH6010SCTB-13

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: TO-263AB（D2PAK）
数量：: 2430
说明：: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：5W（Ta），375W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2692 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：133A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Diodes Incorporated

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