DMN65D8L-7

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
数量:
 436105  
说明:
 MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
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DMN65D8L-7 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:12.6 ns
上升时间:2.8 ns
功率耗散:370 mW
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:0.87 nC
下降时间:7.3 n
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4 Ohms
漏极连续电流:310 mA
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Diodes Inc.

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