DMG4800LK3-13

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 4050  
说明:
 MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
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DMG4800LK3-13 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26.33 ns
上升时间:4.5 ns
功率耗散:1.71 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:8.7 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降时间:8.55 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):12 mOhms
漏极连续电流:10 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是DMG4800LK3-13的详细信息,包括DMG4800LK3-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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