DMG4406LSS-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 8-SO
数量：: 5130
说明：: MOSFET N-Ch ENH 30V 11mOhm 10.3A 10V VGS

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22.3 ns
上升时间：21.2 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：12.5 nC
下降时间：5.1 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms at 10 A, 4.5 V
漏极连续电流：9.3 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

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