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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:14 nS, 44 nS
上升时间:3.1 nS, 4.9 nS
功率耗散:1.3 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:5.2 nC, 16.4 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :12 S, 18.6 S
下降时间:9.7 ns, 28 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):28 mOhms at 10 V, 25 mOhms at - 10 V
漏极连续电流:7.1 A, - 7.4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V, - 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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