DD1000S33HE3BOSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 AG-IHVB130-3
数量:
 7362  
说明:
 MODULE DIODE HVB130-3
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DD1000S33HE3BOSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:AG-IHVB130-3
封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1000 A @ 1800 V
反向恢复时间 (trr):-
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.85 V @ 1000 A
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):1000A(DC)
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):3300 V
技术:标准
二极管配置:2 个独立式
产品状态:在售
包装:-
系列:托盘
品牌:Infineon Technologies

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