CZT5551 TR

厂家:
  Central Semiconductor
封装:
 SOT-223
数量:
 7848  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN High Voltage
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CZT5551 TR PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:2 W
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:80
增益带宽产品fT:300 MHz
最大直流电集电极电流:0.6 A
集电极—射极饱和电压:160 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V
集电极—基极电压 VCBO:180 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor

以上是CZT5551 TR的详细信息,包括CZT5551 TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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