首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C1315KV18-250BZI

CY7C1315KV18-250BZI

厂家：
  Cypress Semiconductor
封装：
 165-FBGA（13x15）
数量：
 4950  
说明：
 静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CY7C1315KV18-250BZI-165-FBGA（13x15）图片

CY7C1315KV18-250BZI PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：136
最大时钟频率：20 MHz
接口：DDR
包装形式：Tray
封装形式：FBGA-165
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
最大工作电流：590 mA
电源电压-最小：1.7 V
电源电压-最大：1.9 V
组织：512 K x 36
存储容量：18 Mbit
RoHS：否
制造商：Cypress Semiconductor

以上是CY7C1315KV18-250BZI的详细信息，包括CY7C1315KV18-250BZI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • SM668GXA-AC
  • SM668GX8-AC
  • SM668GX4-AC
  • SM662GEB-AC
  • SM662GEA-AC
  • SM662GE8-AC
  • SM662GXB-AC
  • SM662GXA-AC
  • SM662GX8-AC
  • SM667GX4-AC

    • 相近型号推荐

    • CY7C1315KV18-250BZXC图片

      CY7C1315KV18-250BZXC

      静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1315KV18-250BZXI图片

      CY7C1315KV18-250BZXI

      静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1315KV18-300BZC图片

      CY7C1315KV18-300BZC

      静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1315KV18-300BZXC图片

      CY7C1315KV18-300BZXC

      静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1315KV18-333BZC图片

      CY7C1315KV18-333BZC

      静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC