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中文参数如下:
工厂包装数量:1000
最大功率耗散:1.2 W
封装形式:SOT-89
安装风格:SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min:20000
集电极—射极饱和电压:30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
集电极—基极电压 VCBO:30 V
晶体管极性:NPN
RoHS:过渡期间
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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