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中文参数如下：
工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：1200 mW
封装形式：SOT-89
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40 at 0.1 mA at 1 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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