CSD25304W1015T

厂家：: Texas Instruments
封装：: 6-DSBGA（1x1.5）
数量：: 4869
说明：: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：750mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：595 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.4 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.15V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：NexFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Texas Instruments

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