CSD16406Q3

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-PowerTDFN
数量：: 20223
说明：: MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

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CSD16406Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：8.5 ns
商标名：NexFET
工厂包装数量：2500
上升时间：12.9 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：53 S
下降时间：4.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：QFN-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 m Ohms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：- 12 V, + 16 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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