CR1F-100 TR

厂家：: Central Semiconductor Corp
封装：: DO-41
数量：: 18
说明：: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41

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CR1F-100 TR PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：DO-41
封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 1000 V
反向恢复时间 (trr)：500 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io)：1.5A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1000 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Central Semiconductor Corp

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