CMS10P10D-HF

厂家：: Comchip Technology
封装：: D-PAK（TO-252）
数量：: 7128
说明：: MOSFET P-CH 100V 10A DPAK

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CMS10P10D-HF PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2W（Ta），54W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1419 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：210 毫欧 @ 5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Comchip Technology

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