BUV21

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-204-2 (TO-3)
数量：: 1719
说明：: 两极晶体管 - BJT 40A 200V 250W NPN

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BUV21 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：100
包装形式：Tray
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：250 W
集电极连续电流：40 A
封装形式：TO-204-2 (TO-3)
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
增益带宽产品fT：8 MHz
最大直流电集电极电流：40 A
集电极—射极饱和电压：200 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
集电极—基极电压 VCBO：250 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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