BUD42DT4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-252-3 (DPAK)
数量:
 16498  
说明:
 两极晶体管 - BJT 4A 650V 25W NPN
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BUD42DT4G PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2500
包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:25 W
集电极连续电流:4 A
封装形式:TO-252-3 (DPAK)
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:8
最大直流电集电极电流:4 A
集电极—射极饱和电压:350 V
发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:350 V
集电极—基极电压 VCBO:650 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是BUD42DT4G的详细信息,包括BUD42DT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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