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BU407HTU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220
数量：
 1881  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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BU407HTU-TO-220图片

BU407HTU PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：60 W
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
增益带宽产品fT：10 MHz
最大直流电集电极电流：7 A
集电极—射极饱和电压：150 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：150 V
集电极—基极电压 VCBO：330 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BU407HTU的详细信息，包括BU407HTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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