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BSZ0904NSI

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TDSON-8
数量：
 8059  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm
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BSZ0904NSI PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIXT SP000854390
典型关闭延迟时间：16 ns
上升时间：4.4 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：8.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：82 S
下降时间：3 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 mOhms at 10 V
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSZ0904NSI的详细信息，包括BSZ0904NSI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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