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BSZ076N06NS3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON-8
数量：: 4823
说明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420
典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：40 ns
功率耗散：69 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：37 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：39 S, 20 S
下降时间：5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.6 mOhms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ076N06NS3 G的详细信息，包括BSZ076N06NS3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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