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BSR58LT1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SOT-23-3（TO-236）
数量：
 1080  
说明：
 JFET 40V 10mA
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BSR58LT1G-SOT-23-3（TO-236）图片

BSR58LT1G PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：350 mW
电阻 - RDS(On)：60 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 1 μA
漏极电流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V
漏源电压（Vdss）：-
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

以上是BSR58LT1G的详细信息，包括BSR58LT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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