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BSM600C12P3G201

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 模块
数量：: 486
说明：: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

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BSM600C12P3G201 PDF参数资料

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中文参数如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2460W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：28000 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：托盘
品牌：Rohm Semiconductor

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