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BSM180D12P2E002

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 模块
数量：: 4589
说明：: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO

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BSM180D12P2E002 PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：1360W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18000pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：204A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 个 N 通道（半桥）
技术：碳化硅（SiC）
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Rohm Semiconductor

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