BSM150GB120DN2_E3166

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 62 mm
数量:
 4896  
说明:
 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 210A
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BSM150GB120DN2_E3166 PDF参数资料

中文参数如下:

安装风格:Screw
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
包装形式:Reel
封装形式:62 mm
最大工作温度:+ 150 C
在25 C的连续集电极电流:210 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Dual
产品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon

以上是BSM150GB120DN2_E3166的详细信息,包括BSM150GB120DN2_E3166厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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