首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008

厂家：
  Rohm Semiconductor
封装：
 模块
数量：
 4575  
说明：
 SIC POWER MODULE-1200V-80A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSM080D12P2C008-模块图片

BSM080D12P2C008 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：175°C（TJ）
功率 - 最大值：600W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 13.2mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：碳化硅（SiC）
产品状态：在售
包装：-
系列：托盘
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BSM080D12P2C008的详细信息，包括BSM080D12P2C008厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP
  • STH150N10F7-2
  • SIR572DP-T1-RE3
  • NVMYS2D9N04CLTWG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC