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BSF083N03LQ G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 3-WDSON
数量：: 6615
说明：: MOSFET OptiMOS 2 PWR N-CH 30V 53A 8.3mOhm

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BSF083N03LQ G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSF083N03LQGXT
典型关闭延迟时间：14 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：3.2 ns
功率耗散：2.2 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：2.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：CanPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0083 Ohms
漏极连续电流：13 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSF083N03LQ G的详细信息，包括BSF083N03LQ G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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