BSC190N12NS3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON-8
数量：: 11956
说明：: MOSFET N-channel POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GXT SP000652752
典型关闭延迟时间：22 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：16 ns
功率耗散：69 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：26 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：45 S, 23 S
下降时间：4 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
漏极连续电流：44 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：120 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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