BSC084P03NS3E G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON-8
数量：: 4005
说明：: MOSFET P-Channel -30V MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3EGXT SP000473012
典型关闭延迟时间：33.3 nS
上升时间：133.5 nS
功率耗散：69 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：43.4 nC
下降时间：8.1 nS
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.4 mOhms at - 10 V
漏极连续电流：- 78.6 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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