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BSC042NE7NS3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TDSON-8
数量：
 8255  
说明：
 MOSFET N-channel POWER MOS
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BSC042NE7NS3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GXT SP000657440
典型关闭延迟时间：34 ns
上升时间：17 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：52 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：89 S, 44 S
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC042NE7NS3 G的详细信息，包括BSC042NE7NS3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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