BLF6G13LS-250P,112

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT-1121B
数量:
 5823  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
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BLF6G13LS-250P,112 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:20
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Tube
封装形式:SOT-1121B
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:13 V
漏极连续电流:42 A
汲极/源极击穿电压:100 V
输出功率:250 W
增益:17 dB
频率:1.3 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
制造商:NXP

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