BFS 481 E6327

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-SOT363-PO
数量:
 3213  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFS 481 E6327 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BFS481E6327XT
工厂包装数量:3000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:175 mW
集电极连续电流:0.02 A
封装形式:SOT-363-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:70 at 5 mA at 8 V
增益带宽产品fT:8000 MHz
最大直流电集电极电流:0.02 A
发射极 - 基极电压 VEBO:2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V
集电极—基极电压 VCBO:20 V
晶体管极性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Infineon

以上是BFS 481 E6327的详细信息,包括BFS 481 E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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