BFN 18 E6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-89-4
数量：: 1620
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR

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BFN 18 E6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BFN18E6327HTSA1 BFN18E6327XT SP000010997
工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：1500 mW
集电极连续电流：0.2 A
封装形式：SOT-89-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V
增益带宽产品fT：70 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V
集电极—基极电压 VCBO：300 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Infineon

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