BF888H6327XTSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-SOT343-4-2
数量:
 8406  
说明:
 RF TRANS NPN 4V 47GHZ SOT343
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

BF888H6327XTSA1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率 - 最大值:
封装封装/外壳:SC-82A,SOT-343
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 25A,3V
功率 - 最大值:160mW
增益:27dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
频率 - 跃迁:47GHz
电压 - 集射极击穿(最大值):4V
晶体管类型:NPN
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是BF888H6327XTSA1的详细信息,包括BF888H6327XTSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • BF904 T/R图片

    BF904 T/R

    射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS

  • BF904,215图片

    BF904,215

    射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS

  • BF904,235图片

    BF904,235

    射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW

  • BF904A,215图片

    BF904A,215

    射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW

  • BF904AR,215图片

    BF904AR,215

    射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW

  • BF904R T/R图片

    BF904R T/R

    射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC