BDX53BTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220
数量:
 2967  
说明:
 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial
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BDX53BTU PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
最小工作温度:- 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:750
集电极连续电流:8 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:60 W
最大集电极截止电流:200 uA
最大直流电集电极电流:8 A
集电极—基极电压 VCBO:80 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:达林顿晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BDX53BTU的详细信息,包括BDX53BTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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