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BDP 950 E6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-223-4
数量：: 7173
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR

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BDP 950 E6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BDP950E6327HTSA1 BDP950E6327XT SP000010939
工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：5000 mW
集电极连续电流：3 A
封装形式：SOT-223-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
增益带宽产品fT：100 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流：3 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Infineon

以上是BDP 950 E6327的详细信息，包括BDP 950 E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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