BC858CLT1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 SOT-23-3(TO-236)
数量:
 2679  
说明:
 两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP
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BC858CLT1G-SOT-23-3(TO-236)图片

BC858CLT1G PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:100MHz
功率 - 最大值:300 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
晶体管类型:PNP
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:onsemi

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