BC856W /T3

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-323
数量：: 7056
说明：: 两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11

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BC856W /T3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BC856W,135
工厂包装数量：10000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：200 mW
集电极连续电流：0.1 A
封装形式：SOT-323
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：125 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT：100 MHz
集电极—射极饱和电压：5 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：65 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

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