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BAS316,H3F

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: USC
数量：: 5184
说明：: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：USC
封装/外壳：SC-76，SOD-323
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：0.35pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 nA @ 80 V
反向恢复时间 (trr)：3 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 150 mA
电流 - 平均整流 (Io)：250mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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