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AR1FJHM3/H

厂家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装：: DO-219AB（SMF）
数量：: 225
说明：: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO219AB

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：DO-219AB（SMF）
封装/外壳：DO-219AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：12.6pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：1 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：140 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io)：1A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：雪崩
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是AR1FJHM3/H的详细信息，包括AR1FJHM3/H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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