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中文参数如下:
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封装封装/外壳:SP1
安装类型:底座安装
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:700W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6160pF @ 1000V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):380nC @ 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 5mA(标准)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 100A,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
漏源电压(Vdss):1700V(1.7kV)
FET 功能:-
配置:2 N 沟道(相角)
技术:碳化硅(SiC)
产品状态:在售
包装:-
系列:散装
品牌:Microchip Technology
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