APTC90SKM60CT1G

厂家：: Microchip Technology
封装：: SP1
数量：: 2709
说明：: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

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APTC90SKM60CT1G PDF参数资料

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中文参数如下：
：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：462W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13600 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：540 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 6mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 52A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：59A（Tc）
漏源电压（Vdss）：900 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：CoolMOS?
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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