APTC90AM60T1G

厂家：: Microchip Technology
封装：: SP1
数量：: 945
说明：: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

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APTC90AM60T1G PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：SP1
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：462W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13600pF @ 100V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：540nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 6mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 52A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：59A
漏源电压（Vdss）：900V
FET 功能：超级结
配置：2 个 N 通道（半桥）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：CoolMOS?
系列：托盘
品牌：Microchip Technology

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