APTC60AM45BC1G

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 1802
说明：: MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1

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APTC60AM45BC1G PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：SP1
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：250W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 24.5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A
漏源电压（Vdss）：600V
FET 功能：-
配置：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：CoolMOS?
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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