AOD4185

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 20A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：55nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2550pF @ 20V
功率 - 最大：62.5W
安装类型：表面贴装

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