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中文参数如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 3.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：620pF @ 10V
功率 - 最大：1.25W
安装类型：表面贴装
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