中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：540pF @ 30V，1120pF @ 30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.5nC @ 10V，20nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Ta），3.2A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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