ALD1109ESAL

厂家:
  Advanced Linear Devices
封装:
 SOIC-8
数量:
 2655  
说明:
 MOSFET Dual N-Ch Pair Array
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ALD1109ESAL PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
功率耗散:500 mW
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.0014 S
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):500 Ohms
漏极连续电流:12 mA
闸/源击穿电压:10.6 V
汲极/源极击穿电压:10 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Advanced Linear Devices

以上是ALD1109ESAL的详细信息,包括ALD1109ESAL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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