AFGHL25T120RLD

厂家：: onsemi
封装：: TO-247-3
数量：: 6561
说明：: 1200V/25A FSII IGBT LOW VCESAT T

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AFGHL25T120RLD PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：159 ns
测试条件：600V，25A，5 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：27.2ns/116ns
栅极电荷：277 nC
输入类型：标准
开关能量：1.94mJ（开），730μJ（关）
功率 - 最大值：400 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：48 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：停产
包装：-
系列：托盘
品牌：onsemi

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