首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > 5LN01C-TB-E

5LN01C-TB-E

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SC-59-3/CP3
数量：
 4482  
说明：
 MOSFET SWITCHING DEVICE
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
5LN01C-TB-E-SC-59-3/CP3图片

5LN01C-TB-E PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：190 ns
上升时间：42 ns
功率耗散：0.25 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1.57 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.18 S
下降时间：105 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
漏极连续电流：0.1 A
闸/源击穿电压：10 V
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是5LN01C-TB-E的详细信息，包括5LN01C-TB-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP
  • STH150N10F7-2
  • SIR572DP-T1-RE3
  • NVMYS2D9N04CLTWG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC