4N35V

厂家：: Vishay Semiconductors
封装：: PDIP-6
数量：: 5355
说明：: 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100%

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4N35V PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
输出类型：DC
输出设备：NPN Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最大反向二极管电压：5 V
最大输入二极管电流：60 mA
包装形式：Tube
封装形式：PDIP-6
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 100 C
最大功率耗散：250 mW
最大集电极电流：50 mA
最大正向二极管电压：1.4 V
电流传递比：150 %
绝缘电压：5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V
最大集电极/发射极电压：32 V
输入类型：DC
RoHS：是
产品种类：晶体管输出光电耦合器
制造商：Vishay

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