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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：62 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：22A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3177pF @ 25V
功率 - 最大：40W
安装类型：通孔
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